onsemi SiC Power Module, 114 A, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
248-5824
Fabrikantnummer:
NXH010P120MNF1PTG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

114A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

F1-2PACK

Mount Type

Through Hole

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material


The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.

10 mohm/1200 V SiC MOSFET half bridge

Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM

Press−fit pins

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.