Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET, 64 A, 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7 IMBG65R039M1HXTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,69

(excl. BTW)

€ 12,93

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Beperkte voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 10,69
5 - 9€ 10,16
10 - 24€ 9,72
25 - 49€ 9,31
50 +€ 8,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
248-9315
Fabrikantnummer:
IMBG65R039M1HXTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263-7

Series

IMBG

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon SiC MOSFET is a 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology, leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, the 650 V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use, suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Optimized switching behaviour at higher currents

Commutation robust fast body diode with low Qf

Superior gate oxide reliability

Tj,max-175°C and excellent thermal behaviour

Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

Increased avalanche capability

Compatible with standard drivers

Kelvin source provides upto 4 times lower switching losses

Gerelateerde Links