ROHM RW4E065GN Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 30 V Enhancement, 7-Pin HEML1616L7

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
249-1135
Fabrikantnummer:
RW4E065GNTCL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

RW4E065GN

Package Type

HEML1616L7

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 30 V drain-source voltage and 6.5 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Pb-free plating

RoHS compliant

Halogen free

Gerelateerde Links