ROHM RW4E065GN Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 30 V Enhancement, 7-Pin HEML1616L7

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 966,00

(excl. BTW)

€ 1.170,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,322€ 966,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
249-1135
Fabrikantnummer:
RW4E065GNTCL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

HEML1616L7

Series

RW4E065GN

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 30 V drain-source voltage and 6.5 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Pb-free plating

RoHS compliant

Halogen free

Gerelateerde Links