ROHM RW4E065GN Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 30 V Enhancement, 7-Pin HEML1616L7 RW4E065GNTCL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,73

(excl. BTW)

€ 11,77

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,973€ 9,73
50 - 90€ 0,949€ 9,49
100 - 240€ 0,76€ 7,60
250 - 990€ 0,742€ 7,42
1000 +€ 0,671€ 6,71

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
249-1136
Fabrikantnummer:
RW4E065GNTCL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

RW4E065GN

Package Type

HEML1616L7

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 30 V drain-source voltage and 6.5 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Pb-free plating

RoHS compliant

Halogen free

Gerelateerde Links