Microchip N-Channel MOSFET, 41 A, 3300 V TO-247 MSC080SMA330B4

Bekijk alle MOSFETs
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
249-4129
Fabrikantnummer:
MSC080SMA330B4
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

41 A

Maximum Drain Source Voltage

3300 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

The Microship's silicon carbide (SiC) power MOSFET product line increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage applications. The device is a 3300 V, 80 mΩ SiC MOSFET in a TO-247 4-lead package with a source sense. It has low capacitances and low gate charge with fast switching speed due to low internal gate resistance (ESR). It allows stable operation at high junction temperature, TJ(max) of 150°C. It is fast and reliable body diode with superior avalanche ruggedness.

High efficiency to enable lighter, more compact system
Simple to drive and easy to parallel
Improved thermal capabilities and lower switching losses

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.