Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S4L07ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,90

(excl. BTW)

€ 3,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.980 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,45€ 2,90
20 - 48€ 1,295€ 2,59
50 - 98€ 1,225€ 2,45
100 - 198€ 1,135€ 2,27
200 +€ 1,045€ 2,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
249-6904
Fabrikantnummer:
IPB80N06S4L07ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

Gerelateerde Links