Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,30

(excl. BTW)

€ 10,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 934 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,15€ 8,30
20 - 48€ 3,73€ 7,46
50 - 98€ 3,49€ 6,98
100 - 198€ 3,24€ 6,48
200 +€ 3,035€ 6,07

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
260-5120
Fabrikantnummer:
IPB180N06S4H1ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Package Type

TO-263

Series

iPB

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links