Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 2.880,00

(excl. BTW)

€ 3.480,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 26 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 2,88€ 2.880,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
249-6953
Fabrikantnummer:
IMBG120R220M1HXTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

IMBG

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.

Very low switching losses

Short circuit withstand time 3 μs

Fully controllable dV/dt

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Package creepage and clearance distance > 6.1mm

Sense pin for optimized switching performance

Gerelateerde Links