Infineon IMBG Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1200 V N, 7-Pin TO-263 IMBG120R220M1HXTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,57

(excl. BTW)

€ 6,74

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 135 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,57
10 - 24€ 5,30
25 - 49€ 5,08
50 - 99€ 4,84
100 +€ 4,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
249-6954
Fabrikantnummer:
IMBG120R220M1HXTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-263

Series

IMBG

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon silicon carbide MOSFET reduction of system complexity. It directly drive from fly-back controller. Efficiency improvement and cooling effort reduction. Enabling higher frequency.

Very low switching losses

Short circuit withstand time 3 μs

Fully controllable dV/dt

Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied

Robust body diode for hard commutation

XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

Package creepage and clearance distance > 6.1mm

Sense pin for optimized switching performance

Gerelateerde Links