Infineon BSS Type N-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 153,00

(excl. BTW)

€ 186,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 9.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,051€ 153,00
6000 - 12000€ 0,048€ 144,00
15000 +€ 0,046€ 138,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
250-0541
Fabrikantnummer:
BSS138WH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSS

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-channel, Enhancement mode. The device is dv /dt rated and Pb-free lead-plating. It has Vds of 60 V, Rds(on)max is 3.5 Ω and Id is 0.28 A. It is Halogen-free, P-channel Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

100% lead-free

Maximum power dissipation is 360mW

Gerelateerde Links