Infineon BSS Type N-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS138WH6327XTSA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 0,25

(excl. BTW)

€ 0,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 9.320 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,025€ 0,25

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0542
Fabrikantnummer:
BSS138WH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

BSS

Package Type

SOT-323

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-channel, Enhancement mode. The device is dv /dt rated and Pb-free lead-plating. It has Vds of 60 V, Rds(on)max is 3.5 Ω and Id is 0.28 A. It is Halogen-free, P-channel Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

100% lead-free

Maximum power dissipation is 360mW

Gerelateerde Links