Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.23 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 183,00

(excl. BTW)

€ 222,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 15.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,061€ 183,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
250-0555
Fabrikantnummer:
BSS306NH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

BSS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes N-channel Enhancement mode small signal MOSFET transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS 2, Small-Signal-Transistor. The logic level (4.5V rated) and Avalanche rated. It is 100% lead-free and Halogen free.

N-channel, Enhancement mode

Logic level 4.5V rated

Maximum power dissipation is 500mW

Gerelateerde Links