Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.23 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS306NH6327XTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 2,05

(excl. BTW)

€ 2,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 16.940 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,205€ 2,05
100 - 240€ 0,194€ 1,94
250 - 490€ 0,186€ 1,86
500 - 990€ 0,178€ 1,78
1000 +€ 0,144€ 1,44

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0556
Fabrikantnummer:
BSS306NH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

0.23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

BSS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-501

The Infineon makes N-channel Enhancement mode small signal MOSFET transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS 2, Small-Signal-Transistor. The logic level (4.5V rated) and Avalanche rated. It is 100% lead-free and Halogen free.

N-channel, Enhancement mode

Logic level 4.5V rated

Maximum power dissipation is 500mW

Gerelateerde Links