Vishay Type N-Channel MOSFET, 430 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ184E-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,71

(excl. BTW)

€ 9,33

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 694 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,855€ 7,71
20 - 48€ 3,63€ 7,26
50 - 98€ 3,275€ 6,55
100 - 198€ 3,085€ 6,17
200 +€ 2,90€ 5,80

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0312
Fabrikantnummer:
SQJQ184E-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK (8x8LR)

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height


Gerelateerde Links