Vishay SQJQ186ER Type N-Channel MOSFET, 329 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ186ER-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,05

(excl. BTW)

€ 21,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
  • 1.970 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Onze huidige voorraad is beperkt en onze leveranciers verwachten tekorten.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,61€ 18,05
25 - 45€ 3,394€ 16,97
50 - 120€ 3,068€ 15,34
125 - 245€ 2,888€ 14,44
250 +€ 2,708€ 13,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0314
Fabrikantnummer:
SQJQ186ER-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

329A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8LR)

Series

SQJQ186ER

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Height

1.6mm

Length

6.15mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

Gerelateerde Links