Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 245 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ186E-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,50

(excl. BTW)

€ 7,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
  • 1.844 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Onze huidige voorraad is beperkt en onze leveranciers verwachten tekorten.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,25€ 6,50
20 - 98€ 3,06€ 6,12
100 - 198€ 2,765€ 5,53
200 - 498€ 2,605€ 5,21
500 +€ 2,44€ 4,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0316
Fabrikantnummer:
SQJQ186E-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

245A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Height

1.9mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

Gerelateerde Links