Vishay Type N-Channel MOSFET, 101 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS141ELNW-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,08

(excl. BTW)

€ 10,99

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.780 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,908€ 9,08
100 - 240€ 0,854€ 8,54
250 - 490€ 0,772€ 7,72
500 - 990€ 0,727€ 7,27
1000 +€ 0,682€ 6,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0318
Fabrikantnummer:
SQS141ELNW-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

101A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

PowerPAK 1212-8SLW

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

94nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Wettable flank terminals

Low thermal resistance with 0.75 mm profile

Gerelateerde Links