Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 864,00

(excl. BTW)

€ 1.044,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 - 4000€ 0,216€ 864,00
8000 +€ 0,205€ 820,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-5572
Fabrikantnummer:
IRLHS6276TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

9.6W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface-mount power package

Low RDS(on) in a small package

Gerelateerde Links