Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V TO-220 IRFS4310TRLPBF
- RS-stocknr.:
- 257-5795
- Fabrikantnummer:
- IRFS4310TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*
€ 6,80
(excl. BTW)
€ 8,22
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 16 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,40 | € 6,80 |
| 20 - 48 | € 3,065 | € 6,13 |
| 50 - 98 | € 2,855 | € 5,71 |
| 100 - 198 | € 2,65 | € 5,30 |
| 200 + | € 2,455 | € 4,91 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 257-5795
- Fabrikantnummer:
- IRFS4310TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
High efficiency synchronous rectification
Lead-free
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4310PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 185 A TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 185 A TO-220 AUIRFB8405
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252 IRLR3114ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-220