Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 362 A, 40 V, 7-Pin TO-263 IRFS7434TRL7PP
- RS-stocknr.:
- 257-5815
- Fabrikantnummer:
- IRFS7434TRL7PP
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*
€ 9,47
(excl. BTW)
€ 11,458
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 618 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,735 | € 9,47 |
| 20 - 48 | € 4,16 | € 8,32 |
| 50 - 98 | € 3,88 | € 7,76 |
| 100 - 198 | € 3,635 | € 7,27 |
| 200 + | € 3,36 | € 6,72 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 257-5815
- Fabrikantnummer:
- IRFS7434TRL7PP
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 362A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.7mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 245W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 362A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.7mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 245W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt
Capability Lead-Free, RoHS Compliant
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263