Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V TO-262 IRFS4127TRLPBF
- RS-stocknr.:
- 257-5836
- Fabrikantnummer:
- IRFS4127TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*
€ 7,32
(excl. BTW)
€ 8,86
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 03 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,66 | € 7,32 |
| 20 - 48 | € 3,26 | € 6,52 |
| 50 - 98 | € 3,07 | € 6,14 |
| 100 - 198 | € 2,85 | € 5,70 |
| 200 + | € 2,64 | € 5,28 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 257-5836
- Fabrikantnummer:
- IRFS4127TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-262 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18.6mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-262 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18.6mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
High efficiency synchronous rectification in SMPS
Uninterruptible power supply
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-262 IRF2804STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-262 IRFZ44NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-262