Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V TO-263 IRFS38N20DTRLP
- RS-stocknr.:
- 257-9428
- Fabrikantnummer:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*
€ 5,71
(excl. BTW)
€ 6,91
(incl. BTW)
Voeg 30 eenheden toe voor gratis bezorging
Op voorraad
- 648 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,855 | € 5,71 |
| 20 - 48 | € 2,57 | € 5,14 |
| 50 - 98 | € 2,40 | € 4,80 |
| 100 - 198 | € 2,225 | € 4,45 |
| 200 + | € 2,08 | € 4,16 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 257-9428
- Fabrikantnummer:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 54mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)
Capable of being wave soldered
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRF3415STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS4620TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS4227TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263