Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 104 A, 60 V N, 8-Pin TSDSON BSZ037N06LS5ATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,18

(excl. BTW)

€ 5,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • 2.400 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 2,09€ 4,18
20 - 48€ 1,685€ 3,37
50 - 98€ 1,58€ 3,16
100 - 198€ 1,48€ 2,96
200 +€ 1,38€ 2,76

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-0712
Fabrikantnummer:
BSZ037N06LS5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

BSZ

Package Type

TSDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.3mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 60V power MOSFET comprises a perfect fit for optimized efficiency and power density solutions such as synchronous rectification in switched mode power supplies, for telecom bricks and server applications, as well as portable chargers. The small footprint of only 3.3x3.3mm2 combined with outstanding electrical performance further contributes towards best-in-class power density and form factor improvement in the end application.

Monolithically integrated Schottky-like diode

Ultra low charges

Ideal for high performance applications

RoHS compliant - halogen free

Less paralleling required

Very low voltage overshoot

Reduced need for snubber circuit

Gerelateerde Links