Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 80 V N, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.429,00

(excl. BTW)

€ 1.729,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,429€ 1.429,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3788
Fabrikantnummer:
IPB024N08N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

166A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

0.92V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

99nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Optimized for synchronous rectification

Ideal for high switching frequency

Less paralleling required

Increased power density

Gerelateerde Links