Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 7-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.759,00

(excl. BTW)

€ 2.128,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,759€ 1.759,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3790
Fabrikantnummer:
IPB032N10N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

166A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

187W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 100V power MOSFET is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hot swap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

Increased power density

Low voltage overshoot

Gerelateerde Links