Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 136 A, 150 V N, 7-Pin TO-263 IPB060N15N5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,56

(excl. BTW)

€ 7,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 6,56
10 - 24€ 6,24
25 - 49€ 5,97
50 - 99€ 5,71
100 +€ 5,31

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3794
Fabrikantnummer:
IPB060N15N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

136A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklifts and e-scooters, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in RDS(on) and Qrr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge increases commutation ruggedness.

Lower output charge

Ultra-low reverse recovery charge

Reduced paralleling

Higher power density designs


Gerelateerde Links