Fabrikantnummer

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

RS-stocknr.:: 258-3819
Fabrikantnummer:: IPB80P04P4L06ATMA2
Fabrikant:: Infineon

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

Momenteel niet beschikbaar

We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.

RS-stocknr.:: 258-3819
Fabrikantnummer:: IPB80P04P4L06ATMA2
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P4L06ATMA2

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is P-channel logic level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement TO-263

Gerelateerde Links