Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V N, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.545,00

(excl. BTW)

€ 1.870,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,618€ 1.545,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3832
Fabrikantnummer:
IPD122N10N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM.

Excellent switching performance

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

Gerelateerde Links