Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD122N10N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,51

(excl. BTW)

€ 3,038

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.308 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,255€ 2,51
20 - 48€ 1,13€ 2,26
50 - 98€ 1,045€ 2,09
100 - 198€ 0,975€ 1,95
200 +€ 0,905€ 1,81

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3833
Fabrikantnummer:
IPD122N10N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.2mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM.

Excellent switching performance

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

Gerelateerde Links