Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 67 A, 100 V P, 3-Pin TO-252 IPD12CN10NGATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,83

(excl. BTW)

€ 4,634

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.474 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,915€ 3,83
20 - 48€ 1,65€ 3,30
50 - 98€ 1,55€ 3,10
100 - 198€ 1,44€ 2,88
200 +€ 1,325€ 2,65

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3835
Fabrikantnummer:
IPD12CN10NGATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

67A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.4mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Gerelateerde Links