Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.375,00

(excl. BTW)

€ 1.675,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,55€ 1.375,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3865
Fabrikantnummer:
IPD85P04P407ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Gerelateerde Links