Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,90

(excl. BTW)

€ 3,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 4.580 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,45€ 2,90
20 - 48€ 1,315€ 2,63
50 - 98€ 1,22€ 2,44
100 - 198€ 1,135€ 2,27
200 +€ 1,045€ 2,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3867
Fabrikantnummer:
IPD85P04P407ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Forward Voltage Vf

-1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Gerelateerde Links