Infineon EiceDRIVER Type N-Channel MOSFET Enhancement, 24-Pin DSO 6ED2231S12TXUMA1
- RS-stocknr.:
- 262-5812
- Fabrikantnummer:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 eenheid)*
€ 8,72
(excl. BTW)
€ 10,55
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 988 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 4 | € 8,72 |
| 5 - 9 | € 7,59 |
| 10 - 24 | € 7,07 |
| 25 - 49 | € 6,55 |
| 50 + | € 6,11 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 262-5812
- Fabrikantnummer:
- 6ED2231S12TXUMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Package Type | DSO | |
| Series | EiceDRIVER | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.65mm | |
| Length | 17.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 7.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Package Type DSO | ||
Series EiceDRIVER | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.65mm | ||
Length 17.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 7.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high voltage, high speed power IGBT or SiC MOSFET gate driver with three independent high side and low side referenced output channels for three phase applications.
Infineon thin film SOI technology
Integrated ultra fast bootstrap diode
Floating channel designed
Gerelateerde Links
- Infineon Hex SiC N-Channel MOSFET, 24-Pin DSO-24 6ED2231S12TXUMA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R090M1HXTMA1
- Infineon IMD SiC N-Channel MOSFET 750 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IMDQ75R090M1HXUMA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 750 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 AIMDQ75R090M1HXUMA1
- Infineon 650V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET 650 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ65R125CFD7XTMA1
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor SiC N-Channel MOSFET 120 V, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ330N12LM6ATMA1
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
- Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
