Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -3.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7606TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 10,60

(excl. BTW)

€ 12,825

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,424€ 10,60
125 - 225€ 0,403€ 10,08
250 - 600€ 0,386€ 9,65
625 - 1225€ 0,254€ 6,35
1250 +€ 0,19€ 4,75

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6742
Fabrikantnummer:
IRF7606TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SOIC

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Gerelateerde Links