Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 26 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Subtotaal (1 tube van 2000 eenheden)*

€ 2.324,00

(excl. BTW)

€ 2.812,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 03 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
2000 +€ 1,162€ 2.324,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6756
Fabrikantnummer:
IRFI4227PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is specifically designed for sustain energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating.

150 degree Celsius operating junction temperature

High repetitive peak current capability

Gerelateerde Links