Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 627,50

(excl. BTW)

€ 760,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 26 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 - 2500€ 0,251€ 627,50
5000 +€ 0,238€ 595,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6765
Fabrikantnummer:
IRFL024ZTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-223

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Gerelateerde Links