Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 5,55

(excl. BTW)

€ 6,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 40 stuk(s) vanaf 01 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,555€ 5,55
100 - 240€ 0,527€ 5,27
250 - 490€ 0,506€ 5,06
500 - 990€ 0,483€ 4,83
1000 +€ 0,305€ 3,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6776
Fabrikantnummer:
IRFU3910PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.73mm

Height

2.39mm

Width

6.22 mm

Distrelec Product Id

304-41-680

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

Gerelateerde Links