Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 3000 eenheden)*

€ 1.200,00

(excl. BTW)

€ 1.440,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
3000 +€ 0,40€ 1.200,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6775
Fabrikantnummer:
IRFU3910PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-251

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.39mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

Gerelateerde Links