Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ34NSTRLPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,10

(excl. BTW)

€ 9,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.080 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,81€ 8,10
100 - 240€ 0,77€ 7,70
250 - 490€ 0,753€ 7,53
500 - 990€ 0,705€ 7,05
1000 +€ 0,656€ 6,56

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6784
Fabrikantnummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-681

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

Gerelateerde Links