ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6013VNXC7G

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,78

(excl. BTW)

€ 4,58

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 986 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 1,89€ 3,78
50 - 98€ 1,70€ 3,40
100 - 248€ 1,385€ 2,77
250 - 498€ 1,355€ 2,71
500 +€ 1,175€ 2,35

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
265-5418
Fabrikantnummer:
R6013VNXC7G
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6013VNX

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.3Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

Gerelateerde Links