Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 57 A, 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10-1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 9,05

(excl. BTW)

€ 10,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 9,05
50 - 99€ 8,22
100 - 249€ 7,54
250 - 499€ 6,96
500 +€ 6,47

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2788
Fabrikantnummer:
IPDD60R050G7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-HDSOP-10-1

Mount Type

Surface

Pin Count

10

Maximum Drain Source Resistance Rds

50mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

68nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is easy to use and has the highest quality standards. It is possibility to increase economies of scales by usage in PFC and PWM topologies in the application. It reducing parasitic source inductance by Kelvin Source improves efficiency by faster switching and ease of use due to less ringing.

Total Pb free

RoHS compliant

Easy visual inspection leads

Improve thermal performance

Suitable for hard and soft switching

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.