Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 331 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,94

(excl. BTW)

€ 7,19

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 5,94
50 - 99€ 5,40
100 - 249€ 4,94
250 - 999€ 4,56
1000 +€ 4,24

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2792
Fabrikantnummer:
IPT014N08NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

331A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPT

Package Type

PG-HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon MOSFET is a N channel 80 V MOSFET and optimized for battery powered applications. It is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is fully qualified according to JEDEC for industrial applications and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Excellent gate charge

Very low on resistance

100 percent avalanche tested

Gerelateerde Links