Infineon OptiMOSTM N-Channel Power MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8

Subtotaal (5 eenheden, in een pakket van 5)*

€ 1,87

(excl. BTW)

€ 2,27

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 80 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 0,374€ 1,87

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2814
Fabrikantnummer:
ISC011N03L5SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOSTM

Package Type

PG-TDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC standard and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Superior thermal resistance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.