Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.585,00

(excl. BTW)

€ 3.130,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,517€ 2.585,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3882
Fabrikantnummer:
IPG20N10S4L22AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Dual N

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is Dual N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Gerelateerde Links