Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin PG-TO251-3 IPU80R1K4P7AKMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 75 eenheden)*

€ 49,875

(excl. BTW)

€ 60,375

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.425 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
75 - 75€ 0,665€ 49,88
150 +€ 0,528€ 39,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-7470
Fabrikantnummer:
IPU80R1K4P7AKMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

800V CoolMOS P7

Package Type

PG-TO251-3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC for Industrial Applications, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET has better production yield by reducing ESD related failures. This MOSFET has less production issues and reduced field returns and easy to select right parts for fine tuning of designs. It enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Best in class performance

Easy to drive and to parallel

Integrated zener diode ESD protection

Gerelateerde Links