Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,49

(excl. BTW)

€ 7,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 6.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,649€ 6,49
50 - 90€ 0,485€ 4,85
100 - 240€ 0,431€ 4,31
250 - 990€ 0,42€ 4,20
1000 +€ 0,412€ 4,12

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9900
Fabrikantnummer:
SIA112LDJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-70-6L

Series

SIA

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.119Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.05mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links