Fabrikantnummer

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

RS-stocknr.:: 178-3901
Fabrikantnummer:: SiA106DJ-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,80

(excl. BTW)

€ 13,10

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

810 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 40	€ 1,08	€ 10,80
50 - 90	€ 0,974	€ 9,74
100 - 490	€ 0,917	€ 9,17
500 - 990	€ 0,863	€ 8,63
1000 +	€ 0,757	€ 7,57

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 178-3901
Fabrikantnummer:: SiA106DJ-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay Siliconix

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-70-6L
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0185Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.9nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Length	2.2mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-70-6L
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0185Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Length 2.2mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

Vrijgesteld

Land van herkomst:: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.