Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 5,67

(excl. BTW)

€ 6,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,567€ 5,67
50 - 90€ 0,512€ 5,12
100 - 490€ 0,481€ 4,81
500 - 990€ 0,452€ 4,52
1000 +€ 0,397€ 3,97

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3901
Fabrikantnummer:
SiA106DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0185Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Width

1.35 mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

Gerelateerde Links