Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,54

(excl. BTW)

€ 7,91

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 6,54
50 - 99€ 6,42
100 - 249€ 5,89
250 - 999€ 5,78
1000 +€ 5,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9938
Fabrikantnummer:
SIJH5100E-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

277A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIJH

Package Type

8x8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00189Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

7.9mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Recently viewed