Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 42.6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5112DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 9,12

(excl. BTW)

€ 11,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,28€ 9,12
60 - 96€ 2,125€ 8,50
100 - 236€ 1,88€ 7,52
240 - 996€ 1,848€ 7,39
1000 +€ 1,813€ 7,25

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9946
Fabrikantnummer:
SIR5112DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0149Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links