Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 60.6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR4409DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,59

(excl. BTW)

€ 10,395

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,718€ 8,59
50 - 95€ 1,288€ 6,44
100 - 245€ 1,142€ 5,71
250 - 995€ 1,12€ 5,60
1000 +€ 1,10€ 5,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9940
Fabrikantnummer:
SIR4409DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

60.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

126nC

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links